产业指南

MW是功率，MWh是能量，二者不能直接互换。用10MW/20MWh假设算例理解时长，再核对额定与可用容量、AC/DC边界及损耗。

构网型与跟网型的差别在控制方式。理解内部电压参考、外部同步和电流限制，核对黑启动、能量余量及系统保护需要哪些条件。

沿一次储能充放电理解PCS、BMS和EMS：谁转换电能、谁估计电池状态、谁协调调度？用假设场景检查功率限制与保护边界。

SOC表示荷电状态，SOH描述健康指标，DOD描述放电深度。用容量衰减的假设算例澄清百分比基准、温度影响和剩余寿命误读。

冷板和浸没式液冷如何把热量带出机房？比较介质接触、残余风冷、换热接口、硬件兼容和维护要求，核对能效结论的工况。

DAC、AOC与独立光模块的区别不只在距离。比较铜与光、一体与分体形态，核对端口速率、分拆支持、兼容性及后期维护。

PUE等于总设施能耗除以IT设备能耗。用算例解释辅助用电比例、负荷率与计量边界，说明低PUE为什么不等于总耗电更少。

在AI集群中，Scale-up与Scale-out承担不同通信任务。比较通信域、带宽口径和扩展开销，理解增加GPU为何不保证吞吐同比增长。

光刻定义图形，刻蚀去除目标材料。沿涂胶、曝光、显影、刻蚀与去胶理解分工，用选择比算例说明掩膜保护及工艺边界。

Chiplet是芯粒划分与集成思路，CoWoS是具体封装平台。用层次图厘清中介层、基板及S/R/L路线，再检查测试、散热与系统成本。

DRAM和NAND分别承担工作内存与持久存储任务。沿打开文件的过程理解易失性、刷新、块擦写和控制器，区分SSD缓存与存储本体。

HBM不是DDR的下一代替代品。本文从堆叠、接口和封装解释带宽来源，用假设算例区分带宽与容量，并核对延迟、扩容和维护边界。

PVD、CVD和ALD如何成膜？比较物理输运、化学反应与自限生长，解释深孔覆盖、热预算和吞吐的取舍，避免按单一参数选工艺。

端侧AI不自动等于离线或零上传。沿数据路径比较本地、云端和混合架构，核对日志、回退、设备温度、能耗与持续运行表现。

训练更新模型参数，推理使用模型完成任务。理解前向、反向、预填充与解码，分别核对显存、吞吐和首Token延迟。

工作流沿预定义路径执行，Agent让模型动态决定部分步骤。用订单查询场景比较可控性、工具权限、终止条件、成功率与成本。

RAG检索资料，微调改变模型参数。用知识更新和输出格式两个场景区分适用问题，并检查权限、引用、检索遗漏及组合方案。

差分线等长为什么仍有时延偏斜？从玻纤与树脂的局部介电差异解释编织效应，比较展开布、布线角度和材料验证的适用边界。

覆铜板是材料，PCB形成系统电路，封装基板连接芯片与系统板。沿层次图理解制造分工，并区分树脂、ABF膜与基板供应商。

Dk影响传播与阻抗，Df描述介质损耗。阅读高速PCB材料表时，还需核对测试频率、方法、树脂含量、设计Dk与铜粗糙度。